石墨烯薄膜的特性:将两层单层CVD石墨烯膜转移 到285nm p掺杂的SiO 2 / Si晶片上 尺寸:1cmx1cm; 4包 将每个石墨烯膜连续转移到晶片上 我们的石墨烯薄膜的厚度和质量由拉曼光谱控制 该产品的石墨烯覆盖率约为98% 石墨烯薄膜是连续的,具有小孔和有机残留物 每个石墨烯薄膜主要是单层(超过95%),偶尔有小的多层岛(低于5%的双层) 每个石墨烯膜是多晶的,即它由具有不同结晶取向的晶粒组成 没有AB堆叠订单。石墨烯膜相对于彼此随机取向 薄层电阻:215-700Ω/平方
硅/二氧化硅晶片的特性:氧化层厚度:285nm 颜色:紫罗兰色 晶圆厚度:525微米 电阻率:0.001-0.005欧姆 - 厘米 型号/掺杂剂:P /硼 方向:<100> 前表面:抛光 背面:蚀刻
应用:石墨烯电子和晶体管 导电涂料 航空航天工业应用 支持金属催化剂 微执行器 MEMS和NEMS 化学和生物传感器 基于石墨烯的多功能材料 石墨烯研究
我们的石墨烯薄膜使用PMMA辅助转移方法制造。 有关详细信息,请参阅以下参考。
学术参考/阅读更多石墨烯生长 在铜箔上大面积合成高质量和均匀的石墨烯薄膜科学2009年6月5日:Vol。324.没有。5932,pp.1312 - 1314 石墨烯转移 用于高性能透明导电电极的大面积石墨烯薄膜的转移,Li et.al.,Nano Lett。,2009,9(12),pp 4359-4363 走向清洁和无裂缝转移石墨烯Liang et.al.,ACS Nano,2011,5(11),pp 9144-9153 |
SKU | 1ML -2- LAYERS-GRAPH-SIO2-4P | |
350.00美元 |