2dsemiconductors Ta2NiS5 晶体简介
激子绝缘体是表现出相关电子相的新型材料系统。当激子结合能 (Eb) 大于带隙 (Eg) 时，激子会凝聚到其基态。半导体中的激子凝聚通过 Bose-Einstein 凝聚过程发生，而半金属中的凝聚通过 Bardeen-Cooper-Schrieffer (BCS) 过程发生。正交传导（电子）和价（空穴）带之间的库仑引力引起的自发带杂化打开带隙并驱动系统进入绝缘状态
分子式： Ta2NiS5
Ta2NiS5 是一种窄带隙半导体 (Eg~0.39 eV)，具有可疑的激子绝缘体行为，如在其姊妹化合物TA2NISE5中观察到的。激子绝缘体是表现出相关电子相的新型材料系统。当激子结合能 (Eb) 大于带隙 (Eg) 时，激子会凝聚到其基态。半导体中的激子凝聚通过 Bose-Einstein 凝聚过程发生，而半金属中的凝聚通过 Bardeen-Cooper-Schrieffer (BCS) 过程发生。正交传导（电子）和价（空穴）带之间的库仑引力引起的自发带杂化打开带隙并驱动系统进入绝缘状态
Ta2NiS5 晶体的性质
Ta2NiS5晶体的原子结构
Ta2NiS5 晶体的拉曼光谱
